PBHV8115X,115 دیتاشیت

PBHV8115X,115

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PBHV8115X,115
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت PBHV8115X,115-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia PBHV8115X,115
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1A
  • Power Dissipation (Pd): 1.5W
  • Transition Frequency (fT): 30MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@50mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 150V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@100mA,10mA
  • Package: SOT-89
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه